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SIDR626LDP-T1-RE3

MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK

+BOM RFQ

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Spécifications

Series	TrenchFET® Gen IV
Part Status	Active
FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	45.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	135 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5900 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8DC
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Base Product Number	SIDR626

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