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W972GG6JB-25
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
- Fabricant
- Mfr. Partie #W972GG6JB-25
- Paquet 84-TFBGA
- Fiche de données W972GG6JB-25 DataSheet
- En stock5764
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Spécifications
| Package | Tray |
| ProductStatus | Obsolete |
| MemoryType | Volatile |
| MemoryFormat | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR2 |
| MemorySize | 2Gb (128M x 16) |
| MemoryInterface | Parallel |
| ClockFrequency | 200 MHz |
| WriteCycleTime-WordPage | 15ns |
| AccessTime | 400 ps |
| Voltage-Supply | 1.7V ~ 1.9V |
| OperatingTemperature | 0°C ~ 85°C (TC) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 84-TFBGA |
Vue d'ensemble
Description
The "25" in the model number often indicates a specific speed grade, suggesting it operates at a particular frequency, making it suitable for various applications that require efficient data processing. W972GG6JB-25 commonly employs a synchronous interface, ensuring reliable and fast data transfers.
Due to its specifications, this memory chip is particularly valued in scenarios where performance and energy efficiency are crucial, such as in mobile devices, automotive systems, and industrial applications. Understanding the characteristics of W972GG6JB-25 is essential for engineers and developers looking to optimize their designs for memory-intensive tasks.
Features
1. Data Rate: Offers a data rate of 800 MT/s (million transfers per second).
2. Organization: Configured as x16 or x8 for versatile integration.
3. Voltage: Operates at a low voltage of 1.8V, enhancing power efficiency.
4. Latency: Supports various CAS latency settings, contributing to flexible performance options.
5. Package: Available in a 60-ball TFBGA package, facilitating compact board designs.
6. Temperature Range: Designed for standard commercial temperature applications.
Overall, the W972GG6JB-25 combines high performance with energy efficiency, making it suitable for various consumer and industrial applications.
Package
Pinout
The pin functions include:
1. Data Bus (DQ0-DQ63): 64 data lines for bi-directional data transfer.
2. Address Lines (A0-A12): Used to select memory addresses.
3. Control Signals (CS, RAS, CAS, WE): Control signals for chip selection, row address strobe, column address strobe, and write enable.
4. Clock (CLK): Provides timing for the memory operations.
5. Differential Clock (CKE): Enables and disables the device.
6. Bank Address (BA0-BA2): Selects bank addresses for memory operations.
7. Data Mask (DM): Used for write operations to mask data inputs.
This configuration allows the chip to support various memory operations efficiently in a DDR2 environment.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. MT47H64M16HR-25
2. K4T1G164EB-25
3. Hynix H5TQ2G83AFR
4. Nanya NT5CB256M16DP-25
These alternatives should have similar specifications, including density, speed, and technology. Always verify compatibility based on the specific application requirements.
Expédition
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