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W971GG6NB25I
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
- Fabricant
- Mfr. Partie #W971GG6NB25I
- Paquet
- Fiche de données W971GG6NB25I DataSheet
- En stock6647
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Spécifications
| Part Status | Active |
| Base Product Number | W971GG6 |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR2 |
| Memory Size | 1Gbit |
| Memory Organization | 64M x 16 |
| Memory Interface | SSTL_18 |
| Clock Frequency | 800 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| Voltage - Supply | 1.7V ~ 1.9V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | 84-TFBGA |
| Supplier Device Package | 84-TFBGA (8x12.5) |
| Packaging | Tray |
| Access Time | 57.5 ns |
Vue d'ensemble
Description
This DRAM variant supports various memory configurations, facilitating easy integration into existing systems. Its reliability and speed make it a preferred choice for manufacturers seeking cost-effective memory solutions. Overall, the W971GG6NB25I is a versatile component that plays a crucial role in enhancing the performance of electronic devices.
Features
1. Memory Density: 512Mb capacity, suitable for various electronic devices.
2. Technology: DDR2 SDRAM, which offers double the data rate of its predecessor, DDR SDRAM, leading to improved performance.
3. Speed: Operates at speeds of up to 667 Mbps, facilitating faster data transfer.
4. Voltage: Typically operates at a voltage of 1.8V, allowing for lower power consumption compared to older memory types.
5. Package Type: Available in a standard TSOP II (Thin Small Outline Package) for easy integration into various applications.
6. Burst Length: Supports a burst length of 4 or 8, enhancing data throughput.
This memory chip is commonly used in consumer electronics, networking equipment, and some industrial applications, providing efficient performance for multitasking and demanding tasks.
Package
Pinout
The primary functions of this chip include data storage and retrieval, providing high-speed memory access to improve system performance. It operates at a voltage of 1.5V and supports a data rate of 1600 MT/s (megatransfers per second). The chip's architecture allows for efficient data transfer and low power consumption, making it suitable for modern applications requiring reliable memory solutions.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. MT47H64M16HR-25E
2. K4T1G164QE-BCE7
3. Hynix HYMD512M646C6
4. Samsung K4T1G164QE-BCE6
Always verify compatibility based on specifications like voltage, timings, and package type.
Expédition
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