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UPA1901TE-T1-A
MOSFETs
- Fabricant
- Mfr. Partie #UPA1901TE-T1-A
- Paquet
- Fiche de données
- En stock22356
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Spécifications
Vue d'ensemble
Description
Key specifications include a low input noise density, a high common-mode rejection ratio (CMRR), and a low total harmonic distortion (THD). The device is available in a compact surface-mount package, making it suitable for space-constrained designs. Its robust performance and reliability make the UPA1901TE-T1-A a popular choice among engineers looking for high-quality amplification solutions in various electronic applications.
Features
1. Low On-Resistance (Rds(on)): Ensures efficient switching with minimal power loss.
2. High Voltage Rating: Capable of operating at voltages up to 30V, making it suitable for a variety of applications.
3. Fast Switching Speed: Ideal for high-frequency applications, enhancing overall performance.
4. Compact Package: Available in a small package (such as SOT-23), saving PCB space.
5. Thermal Stability: Good thermal characteristics for reliable operation under load.
6. Gate Threshold Voltage: Optimized for low voltage drive requirements, allowing compatibility with various control circuits.
These features make the UPA1901TE-T1-A suitable for applications in consumer electronics, power supplies, and automotive systems.
Package
Pinout
1. Gate - Input for RF signal.
2. Source - Connects to ground or bias circuitry.
3. Drain - Output for the amplified RF signal.
4. Gate Control - For adjusting gain.
5. Bias Voltage - To set the operating point.
6. Ground - Common reference point.
This device is often used in applications such as cellular communications, satellites, and other RF systems where high performance and low noise are critical. Ensure to consult the specific datasheet for detailed specifications and electrical characteristics.
Manufacturer
Application
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