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UMD3NTR
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6
- Fabricant
- Mfr. Partie #UMD3NTR
- Paquet
- Fiche de données
- En stock7187
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Spécifications
| Part Status | Active |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Power - Max | 150mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | UMT6 |
| Base Product Number | UMD3 |
Vue d'ensemble
Description
Features
1. Integrated Imaging Modalities: Combines various imaging techniques such as MRI, PET, and CT for comprehensive brain analysis.
2. 3D Visualization: Provides advanced 3D visualization tools to enhance the interpretation of neuroimaging data.
3. Data Standardization: Utilizes standardized protocols for data acquisition and processing, ensuring consistency and reliability across studies.
4. Collaborative Framework: Supports multi-disciplinary collaboration among researchers, clinicians, and technologists.
5. Machine Learning Integration: Employs machine learning algorithms for data analysis, enabling predictive modeling and insights.
6. User-Friendly Interface: Features an intuitive interface for easy access to tools and resources.
7. Open-Access Resources: Offers open-access datasets and tools to encourage widespread research engagement.
These features collectively enhance the understanding of neurological conditions and improve therapeutic interventions.
Package
Pinout
1. Gate 1 (G1) - Controls the first N-channel MOSFET.
2. Drain 1 (D1) - Output for the first N-channel MOSFET.
3. Source 1 (S1) - Ground or negative terminal for the first N-channel MOSFET.
4. Gate 2 (G2) - Controls the second N-channel MOSFET.
5. Drain 2 (D2) - Output for the second N-channel MOSFET.
6. Source 2 (S2) - Ground or negative terminal for the second N-channel MOSFET.
7. Drain Connection (D) - Common drain for linking both devices.
8. Source Connection (S) - Common source for linking both devices.
This configuration allows for efficient switching and control in applications like power supply regulation and motor control. Always refer to the specific datasheet for precise configurations and electrical characteristics.
Manufacturer
Application
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