TSM110NB04DCR RLG

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TSM110NB04DCR RLG

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V

  • FabricantTaiwan Semiconductor Corporation
  • Mfr. Partie #TSM110NB04DCR RLG
  • Paquet PowerTDFN-8
  • Fiche de données
  • En stock8849

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Spécifications

Package 1
Series Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
FETType Active
FETFeature 2 N-Channel (Dual)
DraintoSourceVoltage(Vdss) Standard
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 40V
RdsOn(Max)@IdVgs 10A (Ta), 48A (Tc)
Vgs(th)(Max)@Id 11mOhm @ 10A, 10V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 4V @ 250µA
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 25nC @ 10V
Power-Max 1506pF @ 20V
OperatingTemperature 2W (Ta), 48W (Tc)
MountingType -55°C ~ 155°C (TJ)
Package/Case Surface Mount

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