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TPH4R50ANH
Toshiba
- Fabricant
- Mfr. Partie #TPH4R50ANH
- Paquet
- Fiche de données
- En stock20563
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Spécifications
Vue d'ensemble
Description
The device typically operates with a gate threshold voltage (VGS(th)) that enables efficient switching characteristics, making it ideal for high-frequency applications. Additionally, its robust thermal performance ensures reliability in compact designs.
This MOSFET is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics due to its versatility and reliability. Overall, the TPH4R50ANH stands out as a crucial component for engineers seeking to optimize performance in their electronic designs.
Features
1. Voltage Rating: Typically, it can handle a drain-source voltage of up to 50V.
2. Current Handling: It has a continuous drain current rating, allowing it to manage significant load currents.
3. Low On-Resistance: The device offers low R_DS(on), which minimizes power losses and increases efficiency.
4. Fast Switching Speed: It supports high-frequency operation, making it suitable for switching applications.
5. Thermal Performance: The package design ensures efficient heat dissipation, enhancing reliability in thermal management.
6. Gate Threshold Voltage: It has a suitable gate threshold voltage for easy drive with standard logic levels.
7. Robust Package: This MOSFET typically comes in a compact TO-220 or similar package for ease of mounting and heat sinking.
These features make the TPH4R50ANH ideal for use in DC-DC converters, motor drives, and other power electronic circuits.
Package
Pinout
The pin configuration typically includes:
1. Gate (G): Controls the switching.
2. Drain (D): The current flows out of the device.
3. Source (S): The current enters the device.
4. Other pins: May include optional features like a thermistor or additional gate drive connections.
Always refer to the specific datasheet for detailed pin assignments and electrical characteristics.
Manufacturer
Application
Equivalent
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