TPD3215M

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TPD3215M

GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE

  • Fabricant
  • Mfr. Partie #TPD3215M
  • Paquet Module
  • Fiche de données
  • En stock16

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Spécifications

Supplier Transphorm
Package Bulk
ProductStatus Obsolete
FETType 2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature GaNFET (Gallium Nitride)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 70A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 34mOhm @ 30A, 8V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 28nC @ 8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2260pF @ 100V
Power-Max 470W
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
Package/Case Module

Expédition

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EMS: Les frais d'expédition varient de 30 à 50 $ (0,5 kg), avec un délai de livraison estimé de 7 à 15 jours ouvrables.

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