TP65H300G4LSG

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TP65H300G4LSG

GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN

  • Fabricant
  • Mfr. Partie #TP65H300G4LSG
  • Paquet
  • Fiche de données
  • En stock9002

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Spécifications

Supplier Transphorm
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.5A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 8V
RdsOn(Max)@IdVgs 312mOhm @ 5A, 8V
Vgs(th)(Max)@Id 2.6V @ 500µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 9.6 nC @ 8 V
Vgs(Max) ±18V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 760 pF @ 400 V
PowerDissipation(Max) 21W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 3-PQFN (8x8)

Expédition

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