TK40J20D,S1F(O

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TK40J20D,S1F(O

MOSFET N-CH 200V 40A TO3P

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  • Mfr. Partie #TK40J20D,S1F(O
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Spécifications

Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package Tray
Series π-MOSVIII
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 40A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 44mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3.5V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 100 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4300 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max) 260W (Tc)
OperatingTemperature 150°C
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-3P(N)

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