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TC58NVG0S3HTA00
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
- Fabricant
- Mfr. Partie #TC58NVG0S3HTA00
- Paquet
- Fiche de données
- En stock4021
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Spécifications
| Part Status | Obsolete |
| Base Product Number | TC58NVG0 |
| DigiKey Programmable | Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NAND (SLC) |
| Memory Size | 1Gbit |
| Memory Organization | 128M x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | 25ns |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Supplier Device Package | 48-TSOP I |
| Packaging | Tray |
| Access Time | 25 ns |
Vue d'ensemble
Description
Key specifications often include a specific density (usually several gigabytes to terabytes), support for advanced error correction techniques, and a Serial Peripheral Interface (SPI) for data communication. The TC58NVG0S3HTA00 aims to offer improved endurance and efficiency, making it suitable for demanding applications requiring high-speed data access and reliability.
Overall, it is a crucial component in modern electronic devices, contributing to faster boot times, quicker application launches, and enhanced user experiences.
Features
1. Storage Capacity: 64 Gb (Gigabits), suitable for a range of applications.
2. Interface: It uses a Serial Peripheral Interface (SPI) for efficient communication with host devices.
3. Architecture: Built on 3D NAND technology, which enhances storage density and performance.
4. Data Transfer Rates: Supports high-speed read and write operations, improving overall system performance.
5. Endurance: Offers robust endurance characteristics, making it suitable for consumer electronics and industrial applications.
6. Power Efficiency: Designed to operate with low power consumption, contributing to energy-efficient designs in battery-operated devices.
7. Operating Temperature Range: Suitable for various environments, enhancing its versatility for different applications.
Overall, the TC58NVG0S3HTA00 is designed for reliable performance in embedded systems, mobile devices, and other digital applications requiring efficient storage solutions.
Package
Pinout
Key pin functions include:
- VCC: Power supply for the chip.
- VSS: Ground connection.
- CE: Chip enable, used to activate the memory device.
- WE: Write enable, signals when to write data.
- RE: Read enable, signals when to read data.
- DQ0-DQ7: Data input/output lines used for communication.
- ALE: Address latch enable, used to latch the address during operations.
- CLE: Command latch enable, used to latch the command during operations.
This device supports various NAND Flash operations, including read, write, and erase, making it suitable for a range of applications in consumer electronics and industrial devices.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. Micron MT29F series
2. Samsung K9F4G08U0M
3. SK hynix H26M series
However, specific replacements may vary based on required density, interface, and features. Always verify compatibility with the manufacturer's specifications.
Expédition
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