STU2N62K3

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STU2N62K3

MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK

  • FabricantSTMicroelectronics
  • Mfr. Partie #STU2N62K3
  • Paquet
  • Fiche de données STU2N62K3 DataSheet
  • En stock20045

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Spécifications

Series SuperMESH3™
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 620 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Base Product Number STU2N62

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