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STP2N95K5
MOSFET N-CH 950V 2A TO220
- Fabricant
- Mfr. Partie #STP2N95K5
- Paquet
- Fiche de données
- En stock3691
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Spécifications
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tube |
| Series | SuperMESH5™ |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 950 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 2A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 5Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 5V @ 100µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | 30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 105 pF @ 100 V |
| PowerDissipation(Max) | 45W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| SupplierDevicePackage | TO-220 |
Vue d'ensemble
Description
Features
- N-channel enhancement-mode power MOSFET
- High voltage/current capability with rugged operating area
- Low on-resistance for improved efficiency
- Logic-level gate drive (gate threshold suitable for lower Vgs)
- Fast switching with low gate charge
- Integrated body diode for inductive-load handling
- Avalanche energy capability and robust SOA
- RoHS compliant and lead-free
- Available in surface-mount and through-hole package variants (e.g., DPAK/TO-style) depending on version
- Suitable for switching applications such as DC-DC converters, motor drivers, power supplies, and inverters
Note: exact Vds, Id, and Rds(on) values vary by device revision; consult the latest datasheet for precise electrical specs.
Package
Pinout
- Pin 1: Gate — control electrode (voltage input to switch the device)
- Pin 2: Drain — high‑voltage power input/output
- Pin 3: Source — return/output to the load
- Metal tab/heatsink: electrically tied to Drain
(So physically it has 3 electrical pins; the tab is a fourth conductive surface but is the same node as Pin 2.)
Manufacturer
Type of company: A multinational semiconductor company and integrated device manufacturer (IDM) that designs, develops and fabricates semiconductor products—power MOSFETs, analog and mixed‑signal ICs, microcontrollers, sensors and related components.
Application
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