STO68N65DM6

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STO68N65DM6

N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5

  • Fabricant
  • Mfr. Partie #STO68N65DM6
  • Paquet
  • Fiche de données
  • En stock300

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Spécifications

Supplier STMicroelectronics
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 55A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 65mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4.75V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 80 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3528 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max) 240W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TOLL (HV)

Expédition

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