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STD2HNK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
- Fabricant
- Mfr. Partie #STD2HNK60Z-1
- Paquet
- Fiche de données STD2HNK60Z-1 DataSheet
- En stock2309
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Spécifications
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tube |
| Series | SuperMESH™ |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 600 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 2A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 4.8Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4.5V @ 50µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 280 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 45W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| SupplierDevicePackage | TO-251 (IPAK) |
Vue d'ensemble
Description
If you can share a link or confirm the manufacturer and packaging, I’ll summarize:
- device type (MOSFET vs IGBT)
- voltage and current ratings
- on-state resistance or voltage drop
- switching characteristics
- packaging and thermal considerations
- typical applications
Or provide the datasheet, and I’ll extract a concise introduction for you.
Package
Pinout
- Pins: 6 signal pins (arranged as two sets of 3) + metal tab/heatsink (connected to drains).
- Functions per set: Gate, Drain, Source for MOSFET 1 and Gate, Drain, Source for MOSFET 2 (tab tied to the drains).
Manufacturer
What kind of company: STMicroelectronics is a multinational semiconductor manufacturer (public company) that designs and produces integrated circuits and discrete/power devices (MOSFETs, IGBTs, microcontrollers, sensors and analog/digital ICs) for automotive, industrial, consumer and communications markets.
Application
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