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SISS98DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
- Fabricant
- Mfr. Partie #SISS98DN-T1-GE3
- Paquet
- Fiche de données
- En stock4577
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Spécifications
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | ThunderFET® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 200 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 14.1A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 7.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 105mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 14 nC @ 7.5 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 608 pF @ 100 V |
| PowerDissipation(Max) | 57W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | PowerPAK® 1212-8 |
Vue d'ensemble
Description
Introduction: SISS98DN-T1-GE3 is an industrial [product type] designed for [applications]. It provides [primary function/benefit], supports interfaces such as [CAN/Ethernet/RS‑485/etc.], and operates across [voltage/temperature/range]. The device is built for [reliability features like IP rating, robustness, certifications] and integrates with [systems/environments], enabling [typical use cases].
Notes:
- Decode suffixes like T1 and GE3 from the datasheet to identify packaging, generation, and variant details.
- Check the manufacturer’s datasheet for exact specs, pinout, and application notes.
Package
Pinout
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