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SISA14DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
- Fabricant
- Mfr. Partie #SISA14DN-T1-GE3
- Paquet
- Fiche de données
- En stock7577
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Spécifications
| Series | TrenchFET® |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 15 V |
| Power Dissipation (Max) | 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Base Product Number | SISA14 |
Vue d'ensemble
Description
Key specifications include low noise, wide dynamic range, and configurable gain settings, which enhance its adaptability in different applications. The SISA14DN-T1-GE3 is particularly favored in industrial and consumer electronics due to its reliability and efficiency.
Designed for ease of integration, it typically comes in a compact package that simplifies PCB layout and reduces overall system size. This makes it an ideal choice for compact devices where space is a constraint. Overall, the SISA14DN-T1-GE3 is a versatile solution for engineers looking to implement effective sensor interfacing in their designs.
Features
1. Voltage Rating: Typically rated for a high drain-source voltage (V_DS), which allows it to handle demanding power applications.
2. Low On-Resistance: This results in reduced conduction losses, enhancing efficiency in power circuits.
3. Fast Switching Speed: Ideal for high-frequency operation in DC-DC converters and other applications requiring quick response times.
4. Thermal Performance: Designed to manage heat effectively, it often comes in packages that facilitate better thermal dissipation.
5. Gate Threshold Voltage: Compatible with a range of gate drive voltages, allowing for flexibility in design.
6. Package Type: Usually available in surface-mount formats, making it suitable for compact PCB designs.
This MOSFET is widely used in applications such as power supplies, motor drives, and automotive systems.
Package
Pinout
1. Pin 1 (V-): Negative power supply terminal.
2. Pin 2 (IN-): Inverting input for comparator channel 1.
3. Pin 3 (IN+): Non-inverting input for comparator channel 1.
4. Pin 4 (OUT): Output for comparator channel 1.
5. Pin 5 (V+): Positive power supply terminal.
6. Pin 6 (IN-): Inverting input for comparator channel 2.
7. Pin 7 (IN+): Non-inverting input for comparator channel 2.
8. Pin 8 (OUT): Output for comparator channel 2.
This device is commonly used in signal conditioning applications, providing fast response times and low power consumption.
Manufacturer
Application
Equivalent
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