SIR167DP-T1-GE3

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SIR167DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

  • Fabricant
  • Mfr. Partie #SIR167DP-T1-GE3
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Spécifications

Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET® Gen III
ProductStatus Active
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 60A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 5.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 111 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4380 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 65.8W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PowerPAK® SO-8

Vue d'ensemble

Description

I’m not sure which manufacturer uses SIR167DP-T1-GE3, so I can’t provide exact specs yet. If this is a dual power device in a DP‑T1 package, it would typically be a dual MOSFET pair or a smart switching device used for power conversion, motor control, or similar tasks.
An accurate intro should cover:
- Purpose: what the device controls (load type, switching role)
- Electrical ratings: VDSS, ID, Rds(on), Vgs, switching speed
- Protections: overcurrent, thermal, undervoltage, short‑circuit protection
- Package/pinout: DP‑T1 footprint, thermal characteristics
- Applications: power supplies, motor drives, applications requiring efficient switching

Manufacturer

Manufacturer: Vishay Intertechnology (Vishay Siliconix).
What kind of company: Vishay is a global electronic components manufacturer that designs and produces discrete semiconductors (including power MOSFETs, diodes, and ICs) and passive components (resistors, capacitors, inductors). The SIR167DP-T1-GE3 is a Vishay power MOSFET part number.

Application

SIR167DP-T1-GE3 is a dual rectifier diode (fast/ultrafast recovery). Applications include:
- Switch-mode power supplies (SMPS) and DC-DC converters
- Power-factor correction (PFC) circuits
- Freewheel/rectification in motor drives and inverters
- Solar and automotive power electronics
- General compact fast-rectification in power electronics

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