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SIC463ED-T1-GE3
IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
- Fabricant
- Mfr. Partie #SIC463ED-T1-GE3
- Paquet
- Fiche de données SIC463ED-T1-GE3 DataSheet
- En stock4562
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Spécifications
| Series | microBUCK® |
| Part Status | Active |
| Base Product Number | SIC463 |
| Function | Step-Down |
| Output Configuration | Positive |
| Topology | Buck |
| Output Type | Adjustable |
| Number of Outputs | 1 |
| Voltage - Input (Min) | 4.5V |
| Voltage - Input (Max) | 60V |
| Voltage - Output (Min/Fixed) | 0.8V |
| Voltage - Output (Max) | 55.2V |
| Current - Output | 4A |
| Frequency - Switching | 100kHz ~ 2MHz |
| Synchronous Rectifier | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | PowerPAK® MLP55-27 |
| Supplier Device Package | PowerPAK® MLP55-27 |
| Packaging | Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) |
Vue d'ensemble
Description
Key features include a robust design for higher reliability, low gate charge for reduced switching losses, and a compact package that facilitates easier integration into various systems. The SIC463ED-T1-GE3 is particularly advantageous for high-frequency operation, providing enhanced performance in applications that demand rapid switching and efficiency.
Overall, this MOSFET is ideal for designers looking to improve the performance and efficiency of their power systems while leveraging the benefits of silicon carbide technology.
Features
1. Voltage Rating: It can handle a maximum drain-source voltage (VDS) of 30V.
2. Current Rating: Capable of supporting continuous drain current (ID) of up to 30A.
3. RDS(on): Low on-resistance, typically around 8.5 mΩ, which enhances efficiency by reducing power losses.
4. Gate Threshold Voltage (VGS(th)): Operates effectively with a low gate drive voltage, making it suitable for various applications.
5. Fast Switching: Designed for quick switching speeds, which is ideal for applications such as DC-DC converters and power supplies.
6. Package Type: Available in a compact DPAK package, facilitating easy integration into space-constrained designs.
7. Thermal Performance: Good thermal characteristics, allowing for reliable operation in high-temperature environments.
These features make the SIC463ED-T1-GE3 suitable for automotive, industrial, and consumer electronics applications, where efficiency and performance are critical.
Package
Pinout
1. Gate (G) - Controls the MOSFET switching.
2. Drain (D) - The terminal where the output current flows out.
3. Source (S) - The terminal where current enters the MOSFET.
4-8. Additional Pins - May include various connections for thermal management, gate drive, and protection features depending on the specific package and configuration.
This device is designed for high-efficiency applications, particularly in power conversion systems, due to its high switching speed and low on-resistance characteristics.
Manufacturer
Application
Equivalent
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