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SIA447DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

+BOM RFQ

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Spécifications

Series	TrenchFET®
Part Status	Active
FET Type	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 8 V
Vgs (Max)	±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2880 pF @ 6 V
Power Dissipation (Max)	19W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® SC-70-6
Package / Case	PowerPAK® SC-70-6
Base Product Number	SIA447

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