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SI7658ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
- Fabricant
- Mfr. Partie #SI7658ADP-T1-GE3
- Paquet
- Fiche de données SI7658ADP-T1-GE3 DataSheet
- En stock3843
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Spécifications
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 60A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 2.2mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 4590 pF @ 15 V |
| PowerDissipation(Max) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | PowerPAK® SO-8 |
Vue d'ensemble
Description
Pinout
Function: Dual N-channel enhancement‑mode MOSFET pair in a single package (power MOSFET used for switching/load-switch applications).
Manufacturer
What kind of company: A fabless semiconductor company that designs and sells mixed-signal ICs, wireless and MCU/sensor solutions for IoT, automotive, and industrial applications.
Application
- High-side/low-side load switching and power-path control in DC–DC converters
- Surge and reverse-polarity protection
- Hot-swap and overcurrent protection
- Battery-management and power-gating in portable devices
- Automotive and industrial power-management
- System sequencing for microcontrollers/FPGA and other digital ICs
Equivalent
Expédition
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