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SI7439DP-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
- Fabricant
- Mfr. Partie #SI7439DP-T1-E3
- Paquet
- Fiche de données
- En stock2751
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Spécifications
| Series | TrenchFET® |
| Part Status | Active |
| Base Product Number | SI7439 |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 5.2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Package | PowerPAK® SO-8 |
| Packaging | Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) |
Vue d'ensemble
Description
Common applications include DC-DC converters, motor drivers, and power management systems in consumer electronics, automotive, and industrial sectors. Its fast switching speed and robust performance make it suitable for applications requiring high efficiency and reliability. Overall, the SI7439DP-T1-E3 is an effective choice for engineers looking for dependable MOSFET solutions in various electronic designs.
Features
1. Low On-Resistance: It offers a low R_DS(on), which minimizes conduction losses, enhancing overall efficiency.
2. High Voltage Rating: The device can handle drain-source voltages up to 30V, making it suitable for various applications.
3. Fast Switching Speed: It supports fast switching, beneficial for high-frequency applications.
4. Compact Package: Housed in a PowerPAK SO-8 package, it provides a small footprint, ideal for space-constrained designs.
5. Thermal Performance: The MOSFET has good thermal characteristics, allowing it to operate effectively under demanding conditions.
6. Low Gate Charge: This feature ensures reduced drive power requirements, leading to improved system efficiency.
Overall, the SI7439DP-T1-E3 is well-suited for power management, DC-DC converters, and other applications requiring robust performance in compact designs.
Package
Pinout
1. Gate (G): Controls the MOSFET's switching.
2. Drain (D): Connects to the load; current flows out from the drain when the MOSFET is on.
3. Source (S): Connects to ground or the negative side of the circuit; current enters the source when the MOSFET is on.
The device is designed for low-voltage applications, featuring a low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for power management and other high-efficiency applications. The SI7439DP-T1-E3 is often used in power supply circuits, load switching, and other applications requiring efficient control of electrical power.
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