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SI7252DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
- Fabricant
- Mfr. Partie #SI7252DP-T1-GE3
- Paquet PowerPAK-SO-8
- Fiche de données SI7252DP-T1-GE3 DataSheet
- En stock6632
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Spécifications
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 36.7A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 18mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 3.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 27nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1170pF @ 50V |
| Power-Max | 46W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
Vue d'ensemble
Description
Key specifications include a wide operating current range, low offset voltage, and high common-mode rejection, which enhance its performance in noisy environments. The sensor is housed in a compact package, facilitating easy integration into electronic designs. Its dual-channel capability allows simultaneous monitoring of two distinct currents, providing flexibility in applications requiring multi-channel current sensing.
The SI7252DP-T1-GE3 is ideal for engineers seeking a reliable and efficient solution for current sensing in industrial and consumer electronic applications. Its robust design and performance characteristics make it a popular choice in the market.
Features
1. Bidirectional Current Sensing: It can measure both positive and negative currents, making it versatile for various applications.
2. High Linearity: Offers excellent linearity over a wide current range, ensuring accurate measurements.
3. Low Offset Voltage: Minimizes errors in current measurement, enhancing precision.
4. High Bandwidth: Supports fast response times, suitable for dynamic applications.
5. Wide Supply Voltage Range: Operates from a broad range of supply voltages, increasing compatibility with different systems.
6. Small Package Size: Available in a compact SOIC-8 package, allowing for space-efficient designs.
7. Integrated Hall Effect Technology: Provides isolation from the high voltage side, ensuring safety and reliability.
8. Temperature Range: Suitable for a wide temperature range, making it reliable in various environments.
These features make the SI7252DP-T1-GE3 ideal for power management, motor control, and battery management applications.
Package
Pinout
1. VDD: Positive supply voltage.
2. GND: Ground reference.
3. OUTA: Output signal for the first channel (A).
4. OUTB: Output signal for the second channel (B).
5. CSN: Chip select (active low) for the sensor.
6. CSN_B: Chip select for the second channel (used in multi-channel applications).
7. SCK: Serial clock for SPI communication.
8. SDI: Serial data input for SPI communication.
This configuration allows for current sensing applications, providing isolated current measurements with a linear output proportional to the sensed current. The device is commonly used in power monitoring and management systems.
Manufacturer
Application
Equivalent
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