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SI7120ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
- Fabricant
- Mfr. Partie #SI7120ADN-T1-GE3
- Paquet
- Fiche de données
- En stock5085
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Spécifications
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 6A (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 21mOhm @ 9.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 3V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| PowerDissipation(Max) | 1.5W (Ta) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | PowerPAK® 1212-8 |
Vue d'ensemble
Description
- Function (e.g., sensor, ADC, driver, interface)
- Electricals (supply range, interfaces like I2C/SPI)
- Key specs (power, temperature range)
- Package (T1) and pinout
- Typical applications (embedded sensing, control, automotive/industrial)
In general, such codes denote a compact silicon IC in a T1 package used for sensing or signal conditioning in embedded systems.
Package
Pinout
- Pin 1: Gate (G)
- Pin 2: Drain (D) — typically tied to the exposed pad/tab
- Pin 3: Source (S)
Function: low‑RDS(on) N‑MOSFET used for power switching.
Manufacturer
What kind of company: A fabless semiconductor company that designs and markets ICs and solutions for sensors, microcontrollers, and wireless connectivity (IoT).
Application
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