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SI5513CDC-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

+BOM RFQ

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Spécifications

Package	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series	TrenchFET®
ProductStatus	Active
FETType	N and P-Channel
FETFeature	Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)	20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	4A, 3.7A
RdsOn(Max)@IdVgs	55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id	1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	4.2nC @ 5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	285pF @ 10V
Power-Max	3.1W
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount
Package/Case	8-SMD, Flat Lead

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