SI4410DYTRPBF

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SI4410DYTRPBF

MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

  • Fabricant
  • Mfr. Partie #SI4410DYTRPBF
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Spécifications

Supplier Infineon Technologies
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series HEXFET®
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 10A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 13.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 45 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1585 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 8-SO

Vue d'ensemble

Description

SI4410DYTRPBF is a Pb-free power MOSFET device (Si4410 family) in tape-and-reel packaging. It is used for switching and load‑control in power‑management circuits such as DC–DC converters, motor drivers, and battery protections. The TRPBF suffix indicates Tape & Reel packaging with Pb-free compliance. The device offers low on-resistance and solid current handling in a compact package, enabling efficient high‑speed switching. For exact electrical specs (Vds, Id, Rds(on), Qgs), pinout, and thermal data, refer to the official datasheet and distributor pages (e.g., Digi‑Key, Mouser).

Features

SI4410DYTRPBF features (concise):
- Dual N-channel MOSFET pair in a single package
- Drain–source voltage rating: typically around 30 V
- Very low on-resistance per FET (Rds(on) in the low milliohms range)
- Logic-level gate drive (Vgs suitable for 4.5 V / 2.5 V drive)
- Fast switching with low gate charge
- N-channel devices suitable for DC-DC, load switching, and power-switch applications
- Back-to-back/dual-FET configuration options in one compact package
- Pb-free, RoHS compliant; packaged on Tape & Reel (TRPBF)
Note: exact electrical characteristics (Rds(on), Vds, gate thresholds, etc.) are in the datasheet.

Package

8-pin SOIC package (SOIC-8, often called D-8), Pb-free, in Tape & Reel (TRPBF) format.

Pinout

Pin count: 6 pins (plus an exposed drain tab).
Function: Dual N‑channel enhancement‑mode MOSFET in a SOT‑23‑6 package. Typical pinout (looking at package top):
- Pin 1: Gate 1
- Pin 2: Drain 1
- Pin 3: Source 1
- Pin 4: Source 2
- Pin 5: Drain 2
- Pin 6: Gate 2
- Exposed tab: common drain connection (thermal/PCB pad)
(SI4410DYTRPBF denotes the lead‑free, tape‑and‑reel version.)

Manufacturer

Manufacturer: Vishay Intertechnology (product brand: Vishay Siliconix).
What kind of company: Vishay is a multinational manufacturer of electronic components—primarily discrete semiconductors (power MOSFETs, diodes, rectifiers, analog ICs) and passive components (resistors, inductors, capacitors), headquartered in Malvern, Pennsylvania.

Application

SI4410DYTRPBF is a 30-V N-channel power MOSFET. Common applications include:
- High-side/low-side switching in DC-DC converters and PMICs
- Load switches and hot-swap protection in 12–30 V systems
- Motor drive PWM stages
- LED driver circuits
- General switching power-supply circuitry in portable and automotive electronics (within 30 V)

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