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SI1902DL-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6

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Spécifications

Series	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	660mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Power - Max	270mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package	SC-70-6
Base Product Number	SI1902
Rds On (Max) @ Id, Vgs	385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.2nC @ 4.5V

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