SI1013R-T1-E3

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SI1013R-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A

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  • Mfr. Partie #SI1013R-T1-E3
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Spécifications

Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
ProductStatus Obsolete
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 350mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 1.8V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 450mV @ 250µA (Min)
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 1.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±6V
PowerDissipation(Max) 150mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage SC-75A

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