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SI1012CR-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC75A
- Fabricant
- Mfr. Partie #SI1012CR-T1-GE3
- Paquet
- Fiche de données SI1012CR-T1-GE3 DataSheet
- En stock8220
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Spécifications
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 630mA (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 1.5V, 4.5V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 396mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 2 nC @ 8 V |
| Vgs(Max) | ±8V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 43 pF @ 10 V |
| PowerDissipation(Max) | 240mW (Ta) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | SC-75A |
Vue d'ensemble
Description
- SI1012CR-T1-GE3 is an IC part number (family SI, model 1012, revision CR) in a T1 package, GE3 grade.
- Likely a small sensor or interface IC for embedded systems, typically with a digital interface (I2C/SPI) and single-supply operation.
- Typical content: device purpose, key features, electrical specs, pinout, package details, and recommended applications.
- Common datasheet sections: overview, features, electrical characteristics, timing diagrams, pin configuration, applications, and ordering information.
Package
Pinout
If SI1012CR-T1-GE3 is the common SOT‑23 MOSFET variant, it has 3 pins: Gate (G), Drain (D) and Source (S). Confirming with the manufacturer datasheet is recommended because package variants or dual-device versions change the pin count/function.
Manufacturer
What kind of company: A multinational fabless semiconductor company that designs and sells silicon, software, and solutions for embedded systems and IoT (e.g., microcontrollers, sensors, wireless ICs, timing devices).
Equivalent
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