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SCT30N120
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
- Fabricant
- Mfr. Partie #SCT30N120
- Paquet
- Fiche de données
- En stock3676
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Spécifications
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tube |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 1200 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 40A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 20V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.6V @ 1mA (Typ) |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 105 nC @ 20 V |
| Vgs(Max) | +25V, -10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1700 pF @ 400 V |
| PowerDissipation(Max) | 270W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| SupplierDevicePackage | HiP247™ |
Vue d'ensemble
Description
Key points:
- Purpose: offline SMPS, PFC, inverters, motor drives, DC-DC converters.
- Typical ratings to verify in the datasheet: Vds (around 1200 V), Id (around 30 A), Rds(on), gate charge, and thermal resistance.
- Package options: various power packages (e.g., TO‑220, D²PAK, etc.).
- Important characteristics: fast switching, body diode performance, avalanche energy tolerance, Qgs/Qgd, Vgs(th), and recommended gate drive voltage (commonly 10–12 V; some variants may be logic‑level).
- Use considerations: adequate heat sinking, proper gate drive with isolation when needed, and ensure operating area and safety margins.
Because “SCT30N120” can refer to different parts across manufacturers, always consult the exact datasheet for the precise electrical specs and packaging of the specific device you’re using.
Package
Pinout
- Gate (G) — control terminal that turns the channel on/off.
- Drain (D) — high‑voltage input/output; usually tied to the metal tab/heatsink.
- Source (S) — return/low‑side terminal of the channel.
Function: a 1200 V, ~30 A N‑channel MOSFET used as a high‑voltage switch in power converters and motor drives.
Application
Expédition
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