SCT2280KEC

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SCT2280KEC

SICFET N-CH 1200V 14A TO247

  • Fabricant
  • Mfr. Partie #SCT2280KEC
  • Paquet
  • Fiche de données
  • En stock3214

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Spécifications

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tube
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 14A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 18V
RdsOn(Max)@IdVgs 364mOhm @ 4A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 1.4mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 36 nC @ 18 V
Vgs(Max) +22V, -6V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 667 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 108W (Tc)
OperatingTemperature 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247

Expédition

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