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S29GL512P11TFI020
NOR Flash 512Mb 3V 100ns Parallel NOR Flash
- Fabricant
- Mfr. Partie #S29GL512P11TFI020
- Paquet
- Fiche de données S29GL512P11TFI020 DataSheet
- En stock10778
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Spécifications
| Packaging | Tray |
| Standard Pack Qty | 91 |
Vue d'ensemble
Description
Key features include uniform sector architecture, which facilitates efficient erase and programming operations, and an advanced command set that includes features like read, program, and erase operations. The S29GL512P supports both simultaneous read and write operations, enhancing performance in applications requiring rapid data access. It also includes protection features to safeguard against accidental writes and erases.
Overall, the S29GL512P11TFI020 is widely used in applications requiring reliable, high-density non-volatile memory solutions.
Features
1. Density: 512 Megabits (64 Megabytes).
2. Interface: Parallel interface supporting asynchronous read and write operations.
3. Access Times: Offers fast access times, typically around 70 ns for read operations.
4. Voltage Range: Operates within a supply voltage range of 2.7V to 3.6V.
5. Architecture: Supports a uniform 64K byte sector architecture, with a total of 1024 sectors.
6. Endurance: Typically supports over 100,000 program/erase cycles per sector.
7. Data Retention: Guarantees data retention for up to 20 years at 125°C.
8. Commands: Provides a simple command set for read, program, and erase operations.
9. Security: Features options for software and hardware protection to safeguard data.
10. Package Options: Available in various packages, such as TSOP and BGA, for flexible integration.
These attributes make the S29GL512P11TFI020 suitable for applications in consumer electronics, automotive, and industrial sectors.
Package
Pinout
Pin count: 64 pins.
Key functions include:
1. Address Bus (A0-A20): Used for addressing memory locations.
2. Data Bus (DQ0-DQ31): 32 data lines for input/output of data.
3. Control Signals:
- CE# (Chip Enable): Activates the chip.
- OE# (Output Enable): Controls read operations.
- WE# (Write Enable): Controls write operations.
- RP# (Reset): Resets the device.
- WP# (Write Protect): Protects memory from being written.
4. Vcc and GND: Power supply and ground connections.
This device supports asynchronous read and provides fast access times, making it suitable for a variety of applications, including embedded systems and consumer electronics.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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