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S29GL256P10FFI020
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA
- Fabricant
- Mfr. Partie #S29GL256P10FFI020
- Paquet
- Fiche de données S29GL256P10FFI020 DataSheet
- En stock6933
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Spécifications
| Series | GL-P |
| Part Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NOR |
| Memory Size | 256Mbit |
| Memory Organization | 32M x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | 100ns |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 64-LBGA |
| Supplier Device Package | 64-FBGA (13x11) |
| Base Product Number | S29GL256 |
| Access Time | 100 ns |
Vue d'ensemble
Description
This memory is designed for applications requiring high-density storage with quick read and program times. It offers a page program time of around 10 µs and supports a flexible erase mechanism, with sectors that can be individually erased. The device has a typical endurance of 100,000 program/erase cycles per sector and provides data retention of up to 20 years.
The S29GL256P10FFI020 is commonly used in various applications like automotive, industrial, and consumer electronics, where reliable and fast non-volatile memory is essential. Its compact form factor and robust performance make it suitable for firmware storage, code execution, and data logging in embedded systems.
Features
1. Density: 256 Megabits (32 Megabytes) of storage capacity.
2. Interface: Parallel interface with an industry-standard command set for ease of integration.
3. Access Time: 10 ns read access time for high-speed data retrieval.
4. Voltage Supply: Operates at a supply voltage of 2.7V to 3.6V.
5. Endurance: Supports up to 100,000 program/erase cycles ensuring durability.
6. Data Retention: Guaranteed data retention of up to 20 years at 125°C.
7. Sector Architecture: Features multiple sectors for flexible memory management, including a uniform sector arrangement.
8. Low Power Consumption: Designed for low power operation, making it suitable for battery-operated devices.
9. Programming: Supports fast programming and erase times, enhancing performance in application scenarios.
These features make the S29GL256P10FFI020 ideal for use in automotive, industrial, and consumer electronics applications.
Package
Pinout
Key functions of the pins include:
1. Address Pins (A0-A18): Used to select memory locations.
2. Data Pins (DQ0-DQ7): 8 data lines for reading and writing data.
3. Control Pins:
- WE#: Write Enable - controls write operations.
- RE#: Read Enable - controls read operations.
- CE#: Chip Enable - activates the memory chip.
- OE#: Output Enable - controls data output during read.
4. VCC: Power supply.
5. GND: Ground.
6. RESET#: Reset pin - used to reset the chip.
7. BP0, BP1, BP2: Block Protect pins - configure protection for the memory blocks.
This device is commonly used in embedded systems requiring non-volatile storage.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. Micron MT29F256G08CBABA
2. Spansion S29GL256N10TFIV2
3. Winbond W25Q256FV
4. Cypress CY15B256K
These alternatives may have similar specifications but check for specific features like voltage, speed, and interface compatibility before substitution.
Expédition
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