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S29GL01GP12TFI010
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
- Fabricant
- Mfr. Partie #S29GL01GP12TFI010
- Paquet
- Fiche de données S29GL01GP12TFI010 DataSheet
- En stock3487
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Spécifications
| Series | GL-P |
| Part Status | Obsolete |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NOR |
| Memory Size | 1Gbit |
| Memory Organization | 128M x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | 120ns |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Supplier Device Package | 56-TSOP |
| Base Product Number | S29GL01 |
| Access Time | 120 ns |
Vue d'ensemble
Description
This chip supports a range of read and program operations, including fast random access and sequential read speeds, making it ideal for use in embedded systems, automotive applications, and consumer electronics. The "12" denotes the specific configuration and density, while "TFI" refers to the package type and lead finish.
Overall, the S29GL01GP12TFI010 is designed for reliability, with features like wear leveling and sector protection to enhance the longevity of data storage.
Features
1. Density: 1 Gbit (128 MB) of memory storage.
2. Interface: Compatible with high-performance asynchronous interface.
3. Access Time: Fast access time options, typically around 70 ns.
4. Programming: Supports single-word programming, allowing for flexibility in data handling.
5. Sector Architecture: Organized in sectors, enabling efficient data management and erasure; typically includes a variety of sector sizes.
6. Endurance: High endurance with up to 100,000 program/erase cycles per sector.
7. Data Retention: Long data retention period, typically up to 20 years.
8. Operating Voltage: Generally operates at a single voltage of 3.0V to 3.6V.
9. Compatibility: Supports standard command sets, ensuring easy integration with various microcontrollers and systems.
10. Applications: Ideal for a range of applications including firmware storage, code shadowing, and data logging.
This device is suitable for embedded systems requiring reliable non-volatile memory solutions.
Package
Pinout
Key functions of the pins include:
1. Address Pins (A0-A24): Used to select the memory locations for reading and writing.
2. Data Pins (DQ0-DQ7): Bidirectional data bus for input and output operations.
3. Chip Enable (CE): Activates the device for read or write operations.
4. Write Enable (WE): Enables write operations to the memory.
5. Output Enable (OE): Controls the output of the data.
6. Reset (RESET): Resets the device to its initial state.
7. VCC and VSS: Power supply and ground connections.
This device is commonly used in applications requiring non-volatile storage, such as firmware and data storage in embedded systems.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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