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RN1966FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- FabricantToshiba Semiconductor and Storage
- Mfr. Partie #RN1966FE(TE85L,F)
- Paquet SOT-563
- Fiche de données
- En stock7637
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Spécifications
Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
ProductStatus | Obsolete |
TransistorType | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Current-Collector(Ic)(Max) | 100mA |
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 50V |
Resistor-Base(R1) | 4.7kOhms |
Resistor-EmitterBase(R2) | 47kOhms |
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce | 80 @ 10mA, 5V |
VceSaturation(Max)@IbIc | 300mV @ 250µA, 5mA |
Current-CollectorCutoff(Max) | 100nA (ICBO) |
Frequency-Transition | 250MHz |
Power-Max | 100mW |
MountingType | Surface Mount |
Package/Case | SOT-563, SOT-666 |
Expédition
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