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PMV15ENEAR
MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
- Fabricant
- Mfr. Partie #PMV15ENEAR
- Paquet
- Fiche de données
- En stock8106
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Spécifications
| Supplier | Nexperia USA Inc. |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 6.2A (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 20mOhm @ 5.8A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 440 pF @ 15 V |
| PowerDissipation(Max) | 700mW (Ta), 8.3W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | TO-236AB |
Vue d'ensemble
Description
Key points to check in the datasheet:
- Vds ≈ 15 V, Id rating, Rds(on) at Vgs = 4.5 V (and 10 V if relevant)
- Vgs(max) around ±8 V
- Switching characteristics and thermal resistance
- Package type and pinout
Common uses: DC-DC converters, load switches, motor/battery power stages in automotive or consumer electronics.
How to use: Source to ground, Drain to the load, Gate driven from logic with appropriate protection and heat management. For precise numbers, consult the specific PMV15ENEAR datasheet.
Features
- P-channel MOSFET for high‑side switching
- Small 3‑pin SOT‑23 package
- Logic‑level gate drive with low Vgs(th)
- Low on‑resistance for efficient switching
- Fast switching and low gate charge
- Built‑in body diode ( Source to Drain orientation)
- Robust to inductive loads (good avalanche/energy handling)
- Pb‑free, RoHS compliant; suitable for tape & reel
- Wide operating temperature range; suitable for consumer and industrial use
Common applications: high‑side switches, reverse‑polarity protection, load switching, and microcontroller‑driven power control. For exact electrical specs (Vds, Id, Rds(on), etc.), please consult the datasheet.
Package
Pinout
Function: N-channel enhancement-mode MOSFET (logic-level) used as a switch. Gate controls conduction between Drain and Source; commonly used as a low-side switch. Pinout (SOT-23/SC-70): Pin 1 = Gate, Pin 2 = Source, Pin 3 = Drain.
Application
Equivalent
Expédition
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