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PDTC114EE
- Fabricant
- Mfr. Partie #PDTC114EE
- Paquet
- Fiche de données
- En stock22250
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Spécifications
| Manufacturer | Shanghai Prisemi Elec |
| Package | SOT-523 |
Vue d'ensemble
Description
Features
1. Type: NPN phototransistor, sensitive to infrared light.
2. Package: Typically available in a compact, surface-mount package, making it suitable for space-constrained applications.
3. High Sensitivity: It can detect low levels of light, enabling its use in various sensing applications.
4. Fast Response Time: Allows quick detection of light changes, beneficial for high-speed applications.
5. Voltage and Current Ratings: Can handle a maximum collector-emitter voltage and collector current, making it versatile for different circuits.
6. Low Dark Current: Ensures minimal interference in low-light conditions, improving accuracy.
7. Applications: Widely used in optical communication, light sensors, and automatic light control systems.
Overall, the PDTC114EE is valued for its compact design and reliable performance in diverse optoelectronic applications.
Package
Pinout
1. Pin 1 (A): Anode of the phototransistor.
2. Pin 2 (C): Collector of the phototransistor.
3. Pin 3 (E): Emitter of the phototransistor.
4. Pin 4 (G): Gate of the optocoupler.
The PDTC114EE is commonly used as an optocoupler, allowing signal transmission between isolated circuits while preventing direct electrical connection. The phototransistor within the device activates in response to light emitted from an internal LED, enabling control of high-voltage circuits by low-voltage signals. This device is widely used in applications requiring electrical isolation, such as in switching power supplies and signal processing.
Manufacturer
Application
Equivalent
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