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PC28F256P30TFE
IC FLASH 256MBIT CFI 64EASYBGA
- Fabricant
- Mfr. Partie #PC28F256P30TFE
- Paquet
- Fiche de données
- En stock17464
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Spécifications
| Series | StrataFlash™ |
| Part Status | Obsolete |
| Base Product Number | PC28F256 |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NOR (MLC) |
| Memory Size | 256Mbit |
| Memory Organization | 16M x 16 |
| Memory Interface | CFI |
| Clock Frequency | 52 MHz |
| Voltage - Supply | 1.7V ~ 2V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | 64-TBGA |
| Supplier Device Package | 64-EasyBGA (10x13) |
| Packaging | Tray |
| Access Time | 100 ns |
Vue d'ensemble
Description
Key attributes include a high-speed read access time, which allows for fast data retrieval, and a programmable erase capability that enables selective data management. The PC28F256P30TFE is commonly used in devices such as computers, mobile phones, and other consumer electronics where reliable storage and fast access speeds are critical.
It supports multiple programming cycles and offers durability, making it ideal for applications requiring frequent data updates. Additionally, it is often used in conjunction with software for error correction and management, ensuring data integrity over its lifespan. Overall, the PC28F256P30TFE serves as a reliable solution for various embedded storage needs.
Features
1. Density: 256Mb capacity, suitable for storing large data sets or firmware.
2. Access Speed: Fast read speeds, typically around 30ns, enabling quick data retrieval.
3. Architecture: Offers a uniform memory architecture with a simple read mechanism, which enhances ease of use.
4. Endurance: Supports a high number of program/erase cycles, typically around 10,000 cycles, ensuring longevity.
5. Data Retention: Retains data for up to 100 years under proper conditions, making it reliable for long-term storage.
6. Interface: Utilizes a standard parallel interface, facilitating integration with various microcontrollers and processors.
7. Programming Modes: Supports multiple programming modes and sector-based erasing, allowing efficient updates.
8. Voltage Range: Operates within a specified voltage range, typically around 2.7V to 3.6V, ensuring compatibility with low-power applications.
This device is ideal for embedded systems, consumer electronics, and automotive applications where reliable non-volatile memory is essential.
Package
Pinout
1. Address Inputs: A0-A19 (20 pins) for addressing memory locations.
2. Data Inputs/Outputs: DQ0-DQ7 (8 pins) for reading and writing data.
3. Chip Enable (CE): Controls chip selection.
4. Output Enable (OE): Enables output data.
5. Write Enable (WE): Activates write operations.
6. Ready/Busy (R/B): Indicates the status of the memory (ready or busy).
7. VCC: Power supply pin.
8. VSS: Ground pin.
9. Reset (RESET): Resets the device.
This configuration allows the chip to interface effectively with microcontrollers and other digital systems for non-volatile storage applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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