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PC28F128J3F75B
NOR Flash Parallel NOR Flash(Micron), 128Mb, 3V, 75ns, Uniform Blocks, -40 to 85C, 64b BGA, T&R
- Fabricant
- Mfr. Partie #PC28F128J3F75B
- Paquet
- Fiche de données PC28F128J3F75B DataSheet
- En stock10080
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Spécifications
| Packaging | Cut Tape |
| Standard Pack Qty | 2000 |
Vue d'ensemble
Description
Key features include:
1. Interface: It supports a parallel interface, facilitating easy integration into various systems.
2. Performance: The chip offers fast read and write speeds, enhancing overall system performance.
3. Endurance: It has a high program/erase cycle endurance, making it suitable for applications with frequent data updates.
4. Data Retention: The memory ensures data integrity over extended periods, crucial for non-volatile applications.
5. Compatibility: It is designed to be compatible with several existing systems and protocols.
Overall, the PC28F128J3F75B is a reliable choice for applications demanding robust and efficient memory solutions.
Features
1. Architecture: It employs a NAND Flash architecture, enabling high-density memory storage.
2. Interface: The device supports a parallel interface, allowing for easy integration with various microcontrollers and processors.
3. Density: Offers 128Mb of storage capacity, suitable for applications requiring significant data storage.
4. Access Speed: Provides fast read and write speeds, enhancing overall system performance.
5. Endurance: Supports a high number of program/erase cycles (typically around 10,000), making it durable for frequent updates.
6. Data Retention: Ensures data retention of up to 20 years under normal conditions.
7. Block Architecture: Features a block-based structure, allowing for efficient data management and partial erasing.
8. Low Power Consumption: Designed for low power operation, making it suitable for battery-operated devices.
These features make the PC28F128J3F75B ideal for applications in consumer electronics, automotive systems, and industrial controls.
Package
Pinout
- Address Inputs (A0-A21): Used to select memory locations.
- Data Inputs/Outputs (DQ0-DQ7): Bi-directional pins for data transfer.
- Chip Enable (CE#): Activates the chip for read/write operations.
- Write Enable (WE#): Controls write operations.
- Output Enable (OE#): Enables data output on DQ pins.
- Byte/Word Select (B/W#): Selects between byte or word mode.
- Reset (RESET#): Resets the device.
- Vcc and Vss: Power supply and ground connections.
This device provides a density of 128Mb and supports multiple operations, including read, program, and erase functions, making it suitable for various applications in embedded systems.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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