P3M12017K4

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P3M12017K4

SICFET N-CH 1200V 151A TO-247-4

  • Fabricant
  • Mfr. Partie #P3M12017K4
  • Paquet
  • Fiche de données
  • En stock9606

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Spécifications

Supplier PN Junction Semiconductor
Package Tube
Series P3M
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 151A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 15V
RdsOn(Max)@IdVgs 24mOhm @ 75A, 15V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 75mA (Typ)
Vgs(Max) +25V, -10V
PowerDissipation(Max) 789W
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-4L

Expédition

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