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NVMFS5C612NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
- Fabricant
- Mfr. Partie #NVMFS5C612NLWFAFT1G
- Paquet
- Fiche de données
- En stock6353
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Spécifications
| Supplier | onsemi |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 38A (Ta), 250A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 1.36mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 6660 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 3.8W (Ta), 167W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Vue d'ensemble
Description
- What it is: a non-volatile memory device used to store data without power, often as NAND/NOR flash or a 3D NAND die, sometimes with an integrated controller.
- Interfaces: PCIe/NVMe (high-end SSDs), SATA (consumer SSDs), or embedded interfaces (eMMC/UFS).
- Key specs to confirm: capacity (GB/TB), endurance (P/E cycles), read/write performance and latency, data-retention, ECC/LDPC, wear leveling, bad-block management, and operating temperature.
- Packaging: bare die, BGA/flip-chip, or module form; may require an external controller or may include one.
- Typical applications: consumer and enterprise SSDs, embedded storage in laptops/industrial devices, and data-center NVMe solutions.
If you provide the manufacturer, I’ll give a precise, datasheet-backed introduction.
Pinout
Application
- Enterprise and data-center storage (NVMe SSDs, caching)
- Embedded systems and automotive (ECUs, infotainment, ADAS)
- Industrial automation and IoT devices
- Networking equipment and edge devices
- Consumer electronics and firmware/boot storage
Equivalent
Expédition
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