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NVHL080N120SC1

SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3

+BOM RFQ

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Spécifications

Part Status	Not For New Designs
FET Type	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	44A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.3V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 20 V
Vgs (Max)	+25V, -15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1670 pF @ 800 V
Power Dissipation (Max)	348W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automotive
Qualification	AEC-Q101
Mounting Type	Through Hole
Supplier Device Package	TO-247-3
Package / Case	TO-247-3
Base Product Number	NVHL080

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