NTMYS3D3N06CLTWG

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NTMYS3D3N06CLTWG

MOSFET N-CH 60V 26A/133A LFPAK4

  • Fabricant
  • Mfr. Partie #NTMYS3D3N06CLTWG
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Spécifications

Supplier onsemi
Package Tape & Reel (TR)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 26A (Ta), 133A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 40.7 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2880 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 3.9W (Ta), 100W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage LFPAK4 (5x6)

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