NTMYS1D2N04CLTWG

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NTMYS1D2N04CLTWG

MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4

  • Fabricant
  • Mfr. Partie #NTMYS1D2N04CLTWG
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Spécifications

Supplier onsemi
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 44A (Ta), 258A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 180µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 109 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 6330 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max) 3.9W (Ta), 134W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage LFPAK4 (5x6)

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