NTD4809N-1G

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NTD4809N-1G

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK

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  • Mfr. Partie #NTD4809N-1G
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Spécifications

Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package Tube,Tube
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 9.6A (Ta), 58A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 11.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 13 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1456 pF @ 12 V
PowerDissipation(Max) 1.4W (Ta), 52W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage I-PAK

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