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NTB45N06T4G
MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
- Fabricant
- Mfr. Partie #NTB45N06T4G
- Paquet
- Fiche de données
- En stock3829
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Spécifications
| Supplier | onsemi |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 45A (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 26mOhm @ 22.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1725 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 2.4W (Ta), 125W (Tj) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | D²PAK |
Vue d'ensemble
Description
Key points:
- Voltage/current: VDS ≈ 60 V, continuous ID ~45 A; designed for high-current switching.
- On-resistance and drive: low RDS(on) for efficient conduction; suitable for fast switching with standard gate-drive voltages.
- Construction: rugged body diode for inductive loads; optimized for automotive/industrial use.
- Package/grade: automotive-grade variant (T4G) in a surface-mount power package; RoHS-compliant and often AEC-Q101 qualified.
- Applications: DC-DC converters, motor drivers, power switches, and other high-current switching circuits.
Note: Specs can vary by revision; consult the latest datasheet for exact RDS(on), VGS rating, package type, and thermal characteristics.
Features
- N-channel enhancement-mode power MOSFET
- 60 V drain–source voltage; 45 A continuous drain current
- Low on-resistance (Rds(on) in tens of milliohms)
- Trench MOSFET technology for fast switching and high efficiency
- Low gate charge for easier, faster drive; suitable for switching applications
- Rugged dv/dt and di/dt capability with avalanche energy rating
- Wide operating temperature range (typical -55°C to 150°C)
- Pb-free, halogen-free, RoHS compliant
- Package: T4G (surface-mount, DPAK/TO-263 style)
Package
Pinout
- Pinout: Pin 1 = Gate, Pin 2 = Drain, Pin 3 = Source (tab = Drain).
- Function: N-channel enhancement-mode power MOSFET for high-current switching.
Application
- Switch‑mode power supplies and DC‑DC converters
- Motor control (BLDC/DC motors) and driver stages
- High-side/low-side switches and smart power switches
- Automotive electronics (body/powertrain controllers)
- Solar inverters and power-management stages
- General power-switching in adapters, chargers, and consumer electronics
Expédition
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