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NT5CC512M8EQ-EKI
- Fabricant
- Mfr. Partie #NT5CC512M8EQ-EKI
- Paquet
- Fiche de données NT5CC512M8EQ-EKI DataSheet
- En stock17624
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Spécifications
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8542.32.00.36 |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 1(Max) |
| Package Width | 8 |
| Package Length | 10.5 |
| PCB changed | 78 |
| Standard Package Name | BGA |
| Supplier Package | TFBGA |
| Pin Count | 78 |
| Lead Shape | Ball |
Vue d'ensemble
Description
The NT5CC512M8EQ-EKI is often utilized in various applications, including consumer electronics, embedded systems, and industrial devices, where reliable and efficient memory is crucial. It adheres to the JEDEC standards for DDR3 memory, ensuring compatibility with a wide range of devices. Its compact form factor and power efficiency make it suitable for applications requiring low power consumption.
Overall, the NT5CC512M8EQ-EKI serves as a key component in enhancing the performance and efficiency of electronic systems that demand efficient memory solutions.
Features
1. Capacity: 512 MB.
2. Type: DDR3 (Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic RAM).
3. Organization: 64 Meg x 8 bits.
4. Clock Speed: Typically operates at a frequency of 1066 MT/s (million transfers per second).
5. Voltage: Operates at a low voltage of 1.5V, ensuring energy efficiency.
6. Package: Available in a 60-ball FBGA (Fine Ball Grid Array) package, suitable for compact designs.
7. Timing: CL (CAS Latency) typically around 7, offering decent performance for various applications.
8. Applications: Commonly used in consumer electronics, embedded systems, and industrial applications.
This memory module is designed for reliable performance with a focus on low power consumption, making it ideal for battery-operated devices and other power-sensitive applications.
Package
Pinout
Key functions of the NT5CC512M8EQ-EKI include:
1. Data Storage: Provides volatile memory storage for temporary data.
2. High-Speed Access: Supports data rates up to 1066 MT/s, enhancing performance.
3. Low Power Consumption: Operates at a voltage of 1.5V, making it energy-efficient.
4. Burst Mode: Supports burst access for improved throughput in data transfer.
5. Asynchronous and Synchronous Operation: Can be used in both modes depending on application requirements.
The chip is primarily used in applications such as laptops, desktops, and other electronic devices requiring fast and reliable memory solutions.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. MT41K256M8 – Micron
2. H5TQ4G63AFR – Hyundai
3. K4B4G1646E – Samsung
4. IS42S16100G – ISSI
Ensure to check specifications like voltage, speed, and package type for compatibility.
Expédition
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