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NRVB2045EMFST1G
DIODE SCHOTTKY 45V 20A 5DFN
- Fabricant
- Mfr. Partie #NRVB2045EMFST1G
- Paquet 8-PowerTDFN, 5 Leads
- Fiche de données NRVB2045EMFST1G DataSheet
- En stock3324
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Spécifications
| Supplier | onsemi |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 45 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 20A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 640 mV @ 20 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 400 µA @ 45 V |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| SupplierDevicePackage | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Vue d'ensemble
Description
Key specifications include a maximum repetitive reverse voltage, low forward voltage drop, and fast recovery time, which contribute to its efficiency in handling high-frequency signals. Its typical applications include power supplies, DC-DC converters, and as a protection device in various electronic systems. The NRVB2045EMFST1G is ideal for engineers looking to optimize performance and reliability in compact designs.
For detailed characteristics and application guidelines, consult the manufacturer's datasheet.
Features
1. Voltage Rating: It has a maximum repetitive reverse voltage (V_RRM) of 40V, making it suitable for various power applications.
2. Current Rating: The device can handle a continuous forward current (I_F) of up to 20A.
3. Low Forward Voltage Drop: This results in higher efficiency and reduced heat generation during operation.
4. Fast Switching Speed: The Schottky design enables rapid switching, making it ideal for high-frequency applications.
5. Thermal Performance: Equipped with a low thermal resistance, it efficiently dissipates heat, enhancing reliability.
6. Package: Typically housed in a TO-220 or similar package, facilitating easy mounting on PCBs.
These features make the NRVB2045EMFST1G suitable for power supply circuits, DC-DC converters, and other applications requiring efficient power management.
Package
Pinout
The pin configuration is as follows:
1. G - Gate 1
2. D - Drain 1
3. S - Source 1
4. S - Source 2
5. D - Drain 2
6. G - Gate 2
7. GND - Ground
8. VDD - Supply Voltage
These MOSFETs are designed to provide low on-resistance and high-speed performance, making them suitable for applications requiring efficient power handling.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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EMS: Les frais d'expédition varient de 30 à 50 $ (0,5 kg), avec un délai de livraison estimé de 7 à 15 jours ouvrables.
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