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NJVNJD2873T4G
TRANS NPN 50V 2A DPAK
- Fabricant
- Mfr. Partie #NJVNJD2873T4G
- Paquet DPAK-3
- Fiche de données
- En stock5470
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Spécifications
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| ProductStatus | Active |
| TransistorType | NPN |
| Current-Collector(Ic)(Max) | 2 A |
| Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 50 V |
| VceSaturation(Max)@IbIc | 300mV @ 50mA, 1A |
| Current-CollectorCutoff(Max) | 100nA (ICBO) |
| DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce | 120 @ 500mA, 2V |
| Power-Max | 1.68 W |
| Frequency-Transition | 65MHz |
| OperatingTemperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vue d'ensemble
Description
Package
Pinout
The primary functions of this MOSFET include:
1. V_DS (Drain-Source Voltage): It can handle voltages up to 30V.
2. I_D (Continuous Drain Current): It supports a maximum continuous drain current of around 25A at 25°C.
3. R_DS(on) (On-Resistance): It has a low on-resistance, typically around 10 mΩ, enhancing efficiency.
4. Gate Threshold Voltage: The gate voltage required to turn on the device is typically between 1.0V to 2.5V.
In summary, the NJVNJD2873T4G is utilized for efficient switching in power applications, including motor drives, power supplies, and other electronic circuits requiring robust performance.
Manufacturer
Application
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