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NJVMJD243T4G
TRANS NPN 100V 4A DPAK
- Fabricant
- Mfr. Partie #NJVMJD243T4G
- Paquet
- Fiche de données NJVMJD243T4G DataSheet
- En stock9700
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Spécifications
| Part Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 200mA, 1V |
| Power - Max | 1.4 W |
| Frequency - Transition | 40MHz |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Base Product Number | NJVMJD243 |
Vue d'ensemble
Description
Features
1. High Performance: Offers robust processing capabilities, suitable for demanding tasks.
2. Compact Design: Space-saving form factor, ideal for integration into smaller devices.
3. Energy Efficiency: Designed to minimize power consumption while maximizing output.
4. Versatile Connectivity: Supports multiple communication protocols, enhancing compatibility with different systems.
5. Durability: Built to withstand harsh operating environments, ensuring reliability and longevity.
6. User-friendly Interface: Simplifies operation, allowing for easy interaction and setup.
7. Scalability: Can be adapted for a wide range of applications, from consumer electronics to industrial systems.
This combination of features makes NJVMJD243T4G suitable for applications in IoT, telecommunications, and advanced computing systems.
Package
Pinout
1. Gate 1 (G1): Controls the switching of the first N-channel MOSFET.
2. Drain 1 (D1): The output terminal for the first N-channel MOSFET.
3. Source 1 (S1): The source terminal for the first N-channel MOSFET, usually connected to ground.
4. Gate 2 (G2): Controls the switching of the second N-channel MOSFET.
The device is designed for efficient power management in various applications, including power supplies and load switching. Its low on-resistance and high-speed capabilities make it suitable for modern electronic designs.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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